řada: BS170 MOSFET N-kanálový 500 mA 60 V onsemi, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 sáček po 1000 kusech)*

3 439,00 Kč

(bez DPH)

4 161,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 10 000 jednotka(y) budou odesílané od 20. října 2026
  • Plus 10 000 jednotka(y) budou odesílané od 17. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
Za Sáček*
1000 - 20003,439 Kč3 439,00 Kč
3000 +2,776 Kč2 776,00 Kč

*orientační cena

Alternativa

Tento produkt není v současné chvíli dostupný. Prohlédněte si alternativní výrobek, který jsme pro Vás našli.

Kus (v jednotce baleni à 10)

84,72 Kč

(bez DPH)

102,51 Kč

(s DPH)

Skladové číslo RS:
124-1745
Výrobní číslo:
BS170
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

500mA

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

BS170

Typ balení

TO-92

Typ montáže

Průchozí otvor

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

5Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Přímé napětí Vf

600mV

Typický náboj brány Qg @ Vgs

1.6nC

Maximální ztrátový výkon Pd

830mW

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

4.19mm

Normy/schválení

No

Výška

5.33mm

Délka

5.2mm

Automobilový standard

Ne

Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor


Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.