řada: BS170 Tranzistor MOSFET pro malý signál BS170-D75Z N-kanálový 0.5 A 60 V, TO-92, počet kolíků: 3 kolíkový onsemi 1
- Skladové číslo RS:
- 186-8850
- Výrobní číslo:
- BS170-D75Z
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
122,75 Kč
(bez DPH)
148,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Výroba končí
- 25 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Konečné odeslání 825 jednotky (jednotek) od 15. září 2026
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 4,91 Kč | 122,75 Kč |
| 100 - 225 | 4,229 Kč | 105,73 Kč |
| 250 - 475 | 3,666 Kč | 91,65 Kč |
| 500 - 975 | 3,221 Kč | 80,53 Kč |
| 1000 + | 2,924 Kč | 73,10 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 186-8850
- Výrobní číslo:
- BS170-D75Z
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Tranzistor MOSFET pro malý signál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 0.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-92 | |
| Řada | BS170 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 350mW | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 5.33mm | |
| Délka | 4.19mm | |
| Šířka | 5.2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Tranzistor MOSFET pro malý signál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 0.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-92 | ||
Řada BS170 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 350mW | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 5.33mm | ||
Délka 4.19mm | ||
Šířka 5.2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET, malý signál, 500 mA, 60 V.
Aplikace
Tento produkt je obecně používán a vhodný pro mnoho různých aplikací
Související odkazy
- řada: BS170 Tranzistor MOSFET pro malý signál Typ N-kanálový 0.5 A 60 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi 1
- řada: BS170 Tranzistor MOSFET pro malý signál BS170-D26Z Typ N-kanálový 0.5 A 60 V počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: BS170 Tranzistor MOSFET pro malý signál Typ N-kanálový 0.5 A 60 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi N 1
- řada: BS170 MOSFET BS170-D27Z Typ N-kanálový 0.5 A 60 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi 1
- řada: BS170 MOSFET Typ N-kanálový 0.5 A 60 V počet kolíků: 3 kolíkový onsemi 1
- řada: BS170 MOSFET BS170 Typ N-kanálový 500 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: BS170 MOSFET Typ N-kanálový 500 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SC-70, počet