řada: HEXFET MOSFET IRF1405PBF N-kanálový 169 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 543-1099
- Výrobní číslo:
- IRF1405PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
60,46 Kč
(bez DPH)
73,16 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
- Plus 1 745 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 229 jednotka(y) budou odesílané od 23. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 60,46 Kč |
| 10 - 24 | 57,68 Kč |
| 25 - 49 | 54,96 Kč |
| 50 - 99 | 51,69 Kč |
| 100 + | 48,43 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 543-1099
- Výrobní číslo:
- IRF1405PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 169A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 330W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Šířka | 4.83mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 8.77mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 169A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 330W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Šířka 4.83mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 8.77mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 169 A, maximální ztrátový výkon 330 W - IRF1405PBF
Tento tranzistor MOSFET je určen pro různé aplikace a nabízí vysoký výkon v řešeních pro správu napájení. Díky svým robustním parametrům a pokročilým technikám zpracování je klíčovou součástí v odvětví automatizace a elektroniky. Díky své schopnosti zvládat vysoké proudy a napětí má zásadní význam pro řadu průmyslových procesů.
Vlastnosti a výhody
• Maximální trvalý odtokový proud 169 A zvyšuje životnost
• Jmenovitá hodnota pro 55 V zajišťuje provoz v podmínkách vysokého napětí
• Nízký zapínací odpor 5 mΩ minimalizuje ztráty energie během provozu
• Možnost rychlého přepínání zvyšuje účinnost systému
• Funkce režimu vylepšení pro optimální provoz
Aplikace
• Používá se v pohonech průmyslových motorů pro efektivní řízení
• Vhodné pro vysokoproudé v napájecích zdrojích
• Ideální pro automatizační zařízení pohánějící motory
• Efektivní v oblasti měničů a střídačů pro systémy obnovitelné energie
Jaká je maximální mez napětí mezi hradlem a zdrojem?
Maximální napětí mezi hradlem a zdrojem je ±20 V, což zajišťuje bezpečný provoz.
Jak toto zařízení zvládá tepelnou správu?
Pracuje efektivně až do 175 °C a zajišťuje spolehlivost v podmínkách vysokých teplot.
Jaké faktory je třeba zohlednit při instalaci?
Zajistěte správný montážní moment a zohledněte tepelný odpor chladiče, aby byl zachován efektivní výkon.
Lze jej použít ve spínacích aplikacích?
Ano, je vybaven funkcí rychlého přepínání vhodnou pro vysokorychlostní aplikace, která zkracuje dobu odezvy.
Jaké hodnoty náboje na hradle lze očekávat během provozu?
Typický náboj hradla je 170 nC při 10 V, což usnadňuje rychlé zapnutí a vypnutí.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 169 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 51 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 75 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 150 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 47 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 64 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení