řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 919-4763
Výrobní číslo:: IRF3205PBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

884,75 Kč

(bez DPH)

1 070,55 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

1 000 jednotka(y) budou odesílané od 23. července 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 - 50	17,695 Kč	884,75 Kč
100 - 200	14,158 Kč	707,90 Kč
250 - 450	13,274 Kč	663,70 Kč
500 - 950	12,39 Kč	619,50 Kč
1000 +	11,50 Kč	575,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 919-4763
Výrobní číslo:: IRF3205PBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	110A
	Maximální napětí na zdroji Vds	55V
	Typ balení	TO-220
	Řada	HEXFET
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	8mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	200W
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	146nC
	Maximální provozní teplota	175°C
	Délka	10.54mm
	Výška	8.77mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 110A
	Maximální napětí na zdroji Vds 55V
	Typ balení TO-220
	Řada HEXFET
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 8mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 200W
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 146nC
	Maximální provozní teplota 175°C
	Délka 10.54mm
	Výška 8.77mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Pro stažení CAD modelů je nutné se přihlásit

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na drenáži 110 A, maximální napětí na drenáži 55 V - IRF3205PBF

Tento HEXFET MOSFET je vysoce výkonná součástka výkonové elektroniky určená pro náročné aplikace. Je vybaven N-kanálovou konfigurací s maximálním trvalým proudem 110 A a maximálním napětím dren-source 55 V. Pouzdro TO-220AB zajišťuje účinnou správu tepla a je vhodné pro použití v různých průmyslových podmínkách.

Charakteristiky a výhody

• Možnost provozu při vysokých teplotách až do +175 °C

• Nabízí rychlé spínací charakteristiky pro lepší výkon

• Vynikající lavinové hodnocení pro větší odolnost

• Konstrukce režimu vylepšení zajišťuje stabilní provoz

• Navrženo pro snadné použití při průchozí montáži

Aplikace

• Používá se pro konverzi energie v napájecích zdrojích

• Vhodné pro řízení motoru

• Používá se v systémech řízení baterií

• Použití ve vysokofrekvenčních spínacích obvodech

• Integrované do napájecích systémů spotřební elektroniky

Jaké tepelné vlastnosti je třeba u této součásti zohlednit?

Tepelný odpor od spoje k pouzdru je 0,75 °C/W a od pouzdra k chladiči může být až 0,50 °C/W, pokud je aplikován na rovný, namazaný povrch. To je nezbytné pro udržení optimálního výkonu ve scénářích s vysokou zátěží.

Jak mohou specifikace ovlivnit celkový výkon?

Nízký zapínací odpor a vysoká schopnost trvalého odběrového proudu umožňují snížit ztráty výkonu a zlepšit tepelnou účinnost, což vede ke zvýšení spolehlivosti v různých aplikacích.

Jaké metody lze použít pro účinný odvod tepla?

Použití chladiče ve spojení s pouzdrem TO-220AB může výrazně zlepšit odvod tepla během provozu a zajistit, že zařízení zůstane v bezpečných tepelných mezích.