řada: HEXFET MOSFET IRLZ44NPBF N-kanálový 47 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 541-0086
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 303-41-412
- Výrobní číslo:
- IRLZ44NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
45,45 Kč
(bez DPH)
54,99 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 751 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
- Plus 427 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 45,45 Kč |
| 10 - 49 | 41,50 Kč |
| 50 - 99 | 38,53 Kč |
| 100 - 249 | 36,06 Kč |
| 250 + | 33,84 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 541-0086
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 303-41-412
- Výrobní číslo:
- IRLZ44NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 47A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 22mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 16V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 4.69mm | |
| Délka | 10.54mm | |
| Výška | 8.77mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 47A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 22mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 4.69mm | ||
Délka 10.54mm | ||
Výška 8.77mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, 47 A maximální trvalý vypouštěcí proud, 110 W maximální ztrátový výkon - IRLZ44NPBF
Tento vysoce výkonný N-kanálový tranzistor MOSFET od společnosti Infineon je navržen pro efektivní spínání a značný výkon v elektronických systémech. Využívá pokročilou technologii HEXFET a je vhodný pro různé polovodičové aplikace, takže je vhodný pro profesionály v automatizaci, elektronice a elektrotechnice, kteří hledají robustní výkon v oblasti řízení spotřeby.
Vlastnosti a výhody
• Podporuje trvalý odběrový proud až 47 A pro efektivní dodávku energie
• Pracuje s napětím 55 V, což zvyšuje univerzálnost použití
• Maximální ztrátový výkon 110 W optimalizuje tepelný management
• Konstrukce režimu vylepšení zajišťuje efektivní spínání a ovládání
• Nízké prahové napětí hradla v rozsahu 1V až 2V usnadňuje řízení s minimálním řídicím napětím
• Vysoká proudová zatížitelnost s nízkým zapínacím odporem 22 mΩ zvyšuje účinnost
Aplikace
• Napájecí obvody vyžadující účinné spínání zátěže
• Měniče DC-DC v systémech obnovitelné energie
• Automobilový náročný vysoký výkon
• Řídicí systémy motorů pro zvýšení provozní účinnosti
• Osvětlovací systémy vyžadující přesnou regulaci výkonu
Jaký je rozsah provozních teplot zařízení?
Zařízení účinně funguje v teplotním rozsahu od -55 °C do +175 °C, což zaručuje spolehlivost v různých podmínkách prostředí.
Jak by měl být tento přístroj namontován, aby byl optimálně výkonný?
Je navržen pro průchozí montáž v pouzdře TO-220AB, což umožňuje účinný odvod tepla během provozu.
Lze jej použít s jinými komponenty pro řízení spotřeby?
Ano, je kompatibilní s celou řadou komponent pro řízení napájení a spínání, takže se bez problémů hodí do různých obvodů.
Jaké jsou důsledky rozsahu prahového napětí hradla?
Prahové napětí hradla 1 V až 2 V umožňuje snadné řízení standardními úrovněmi signálu, což zjednodušuje návrhy obvodů a zvyšuje kompatibilitu.
Je vhodný pro vysokofrekvenční aplikace?
Díky nízkému náboji hradla 48 nC při 5 V podporuje vysokofrekvenční spínací aplikace a přispívá k celkové účinnosti napájecích systémů.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 47 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 64 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 89 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 30 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 49 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 29 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení