řada: MDmesh MOSFET STP12NM50 Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 419-2197
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 171-12-832
- Výrobní číslo:
- STP12NM50
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
109,42 Kč
(bez DPH)
132,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 jednotka(y) budou odesílané od 25. května 2026
- Plus 25 jednotka(y) budou odesílané od 25. května 2026
- Plus 1 345 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 1 | 109,42 Kč |
| 2 + | 103,99 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 419-2197
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 171-12-832
- Výrobní číslo:
- STP12NM50
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 350mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 160W | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 9.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Řada MDmesh | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 350mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 160W | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 9.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 14 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 21 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STP12NM50 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP14NM50N Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STF28NM50N Typ N-kanálový 21 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STF14NM50N Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP19NM50N Typ N-kanálový 14 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení