řada: MDmesh MOSFET STP19NM50N N-kanálový 14 A 500 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 761-0055
- Výrobní číslo:
- STP19NM50N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
52,37 Kč
(bez DPH)
63,37 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 239 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 52,37 Kč |
| 10 - 99 | 33,36 Kč |
| 100 - 499 | 29,27 Kč |
| 500 - 999 | 25,14 Kč |
| 1000 + | 23,25 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 761-0055
- Výrobní číslo:
- STP19NM50N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 14A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 250mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 15.75mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 14A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Řada MDmesh | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 250mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 15.75mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Šířka 4.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 14 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 21 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STF28NM50N Typ N-kanálový 21 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STF14NM50N Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP14NM50N Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP12NM50 Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení