řada: MDmesh MOSFET STP14NM50N Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 168-7489
- Výrobní číslo:
- STP14NM50N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
2 178,55 Kč
(bez DPH)
2 636,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 100 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 43,571 Kč | 2 178,55 Kč |
| 100 + | 41,397 Kč | 2 069,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 168-7489
- Výrobní číslo:
- STP14NM50N
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | MDmesh | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 320mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 90W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25 V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 15.75mm | |
| Šířka | 4.6 mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada MDmesh | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 320mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 90W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25 V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 15.75mm | ||
Šířka 4.6 mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Technologie N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 21 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 14 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP12NM50 Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STF14NM50N Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP28NM50N Typ N-kanálový 21 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP19NM50N Typ N-kanálový 14 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STF28NM50N Typ N-kanálový 21 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení