řada: STP12NM50 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-8281
- Výrobní číslo:
- STB12NM50T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*
51 870,00 Kč
(bez DPH)
62 760,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 29. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1000 + | 51,87 Kč | 51 870,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-8281
- Výrobní číslo:
- STB12NM50T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | STP12NM50 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 350mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 160W | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Výška | 4.37mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada STP12NM50 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 350mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 160W | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Výška 4.37mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
MDmesh™ je nová revoluční technologie MOSFET, která spojuje proces vícenásobného vypouštění s horizontálním rozvržením PowerMESH™e společnosti. Výsledný výrobek má vynikající nízkou odolnost, působivě vysoké dv/dt a vynikající lavinové vlastnosti. Přijetí patentované techniky páskových jednotek společnosti přináší celkově dynamický výkon.
Vysoké dv/dt a lavinové schopnosti
Nízká kapacita vstupu a nabíjení brány
Úzká kontrola procesu a vysoké výrobní výnosy
Nízký vstupní odpor zadní výklopné stěny
Aplikace
Přepínání aplikace
Související odkazy
- řada: STP12NM50 MOSFET STB12NM50T4 Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: MDmesh MOSFET STP12NM50 Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 80 A 55 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STB80NF55-06T4 Typ N-kanálový 80 A 55 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STB MOSFET Typ N-kanálový 13 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 7 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení