řada: STP12NM50 MOSFET STB12NM50T4 Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 188-8473
- Výrobní číslo:
- STB12NM50T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
655,04 Kč
(bez DPH)
792,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 950 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 131,008 Kč | 655,04 Kč |
| 50 - 120 | 113,06 Kč | 565,30 Kč |
| 125 + | 90,92 Kč | 454,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-8473
- Výrobní číslo:
- STB12NM50T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 500V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | STP12NM50 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 350mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 160W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 9.35mm | |
| Výška | 4.37mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 500V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada STP12NM50 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 350mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 160W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 9.35mm | ||
Výška 4.37mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MDmesh™ je nová revoluční technologie MOSFET, která spojuje proces vícenásobného vypouštění s horizontálním rozvržením PowerMESH™e společnosti. Výsledný výrobek má vynikající nízkou odolnost, působivě vysoké dv/dt a vynikající lavinové vlastnosti. Přijetí patentované techniky páskových jednotek společnosti přináší celkově dynamický výkon.
Vysoké dv/dt a lavinové schopnosti
Nízká kapacita vstupu a nabíjení brány
Úzká kontrola procesu a vysoké výrobní výnosy
Nízký vstupní odpor zadní výklopné stěny
Aplikace
Přepínání aplikace
Související odkazy
- řada: STP12NM50 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET STP12NM50 Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh MOSFET Typ N-kanálový 12 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh TO-263, počet kolíků: 3
- řada: MDmesh TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II Typ N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics počet kolíků: 3
- řada: MDmesh Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh II STB23NM50N Typ N-kanálový 17 A 500 V STMicroelectronics
- řada: MDmesh DM2 MOSFET STB18N60DM2 Typ N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový