řada: SiR MOSFET SIR5607DP-T1-RE3 Typ P-kanálový 90.9 A 60 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9951
- Výrobní číslo:
- SIR5607DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
172,41 Kč
(bez DPH)
208,62 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 620 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 86,205 Kč | 172,41 Kč |
| 50 - 98 | 77,93 Kč | 155,86 Kč |
| 100 - 248 | 69,405 Kč | 138,81 Kč |
| 250 - 998 | 67,925 Kč | 135,85 Kč |
| 1000 + | 66,69 Kč | 133,38 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9951
- Výrobní číslo:
- SIR5607DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 90.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | SiR | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.007Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 112nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 104W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5.15mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 90.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada SiR | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.007Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 112nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 104W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5.15mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay je MOSFET s P-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.
Výkonový MOSFET TrenchFET
100% testování Rg a UIS
Menší pokles napětí
Snižuje ztrátu vodivosti
Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)
Související odkazy
- řada: SiR MOSFET SIR5607DP-T1-RE3 Typ P-kanálový 90.9 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIR5607DP MOSFET SIR5607DP-T1-UE3 Typ P-kanálový 90.9 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SiR4602LDP-T1-RE3 N-kanálový 52.1 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SiR582DP-T1-RE3 N-kanálový 116 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SIR5112DP-T1-RE3 N-kanálový 42.6 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIR5110DP-T1-RE3 N-kanálový 47.6 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIR5108DP-T1-RE3 N-kanálový 55.9 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SiR584DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový