řada: SIR5607DP MOSFET SIR5607DP-T1-UE3 Typ P-kanálový 90.9 A 60 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 653-196
- Výrobní číslo:
- SIR5607DP-T1-UE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
67,93 Kč
(bez DPH)
82,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 5 952 jednotka(y) budou odesílané od 28. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 67,93 Kč |
| 10 - 24 | 66,20 Kč |
| 25 - 99 | 64,96 Kč |
| 100 - 499 | 54,83 Kč |
| 500 + | 51,87 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 653-196
- Výrobní číslo:
- SIR5607DP-T1-UE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 90.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | SIR5607DP | |
| Typ balení | PowerPAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.007Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 31.7nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 104W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 5.26mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.12mm | |
| Délka | 6.25mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 90.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada SIR5607DP | ||
Typ balení PowerPAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.007Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 31.7nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 104W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 5.26mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.12mm | ||
Délka 6.25mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
P-kanálový MOSFET Vishay je navržen pro efektivní spínání v kompaktních napájecích systémech. Podporuje napětí zdroje odtoku až 60 V a je umístěn v pouzdru PowerPAK SO-8. Je vyroben pomocí technologie TrenchFET Gen V a nabízí velmi nízký RDS(on), což minimalizuje pokles napětí a ztráty vodivosti.
Bez obsahu Pb
Bez obsahu halogenů
Vyhovuje RoHS
Související odkazy
- řada: SIR5607DP MOSFET SIR5607DP-T1-UE3 Typ P-kanálový 90.9 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIR5607DP-T1-RE3 Typ P-kanálový 90.9 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR608DP-T1-UE3 N-kanálový 208 A 45 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR4407DP-T1-UE3 P-kanál-kanálový -101.4 A -40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiS MOSFET SISD4604LDN-T1-UE3 N-kanálový 91 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiS MOSFET SISD5806DN-T1-UE3 N-kanálový 64 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiS MOSFET SISD5110DN-T1-UE3 N-kanálový 55 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIRA20DDP-T1-UE3 N-kanálový 337 A 25 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení