řada: TrenchFET MOSFET SIR4407DP-T1-UE3 P-kanál-kanálový -101.4 A -40 V Vishay, PowerPAK, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 904-975
- Výrobní číslo:
- SIR4407DP-T1-UE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
32,35 Kč
(bez DPH)
39,14 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 09. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 32,35 Kč |
| 10 - 24 | 21,09 Kč |
| 25 - 99 | 12,42 Kč |
| 100 - 499 | 12,13 Kč |
| 500 + | 11,84 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 904-975
- Výrobní číslo:
- SIR4407DP-T1-UE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -101.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -40V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | PowerPAK | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0045Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 82.7nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 88.3W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | ROHS | |
| Šířka | 5.15mm | |
| Délka | 6.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -101.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -40V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení PowerPAK | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0045Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 82.7nC | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 88.3W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení ROHS | ||
Šířka 5.15mm | ||
Délka 6.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- IL
MOSFET Vishay s P-kanálem slouží jako spolehlivý elektronický spínač navržený pro efektivní řízení vysokého napětí a proudu. Je speciálně navržen pro různé aplikace řízení napájení, což zajišťuje robustní výkon v náročných prostředích.
Pracuje při napětí odtoku-zdroje -40 V pro vyšší spolehlivost
Mimořádně nízký odpor v zapnutém stavu zajišťuje minimální ztrátu výkonu během provozu
Plně testováno pro R a UIS, aby byl zaručen výkon v namáhaných podmínkách
Nabízí maximální jmenovitý rozptyl výkonu 5,0 W, což umožňuje chladnější provoz
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SIR608DP-T1-UE3 N-kanálový 208 A 45 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR5205DP-T1-UE3 P-kanál-kanálový -153.2 A -20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SIR5203DP-T1-UE3 P-kanál-kanálový -267 A -20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SIR5207DP-T1-UE3 P-kanál-kanálový -136.7 A -20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SISS5207DN-T1-UE3 P-kanál-kanálový -136.7 A -20 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET MOSFET SISS516DN-T1-UE3 N-kanálový 59 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SIR5402DP-T1-UE3 N-kanálový 201.5 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SISS586DN-T1-UE3 N-kanálový 70.6 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový