řada: SiS MOSFET SISD5110DN-T1-UE3 N-kanálový 55 A 100 V Vishay, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 735-132
- Výrobní číslo:
- SISD5110DN-T1-UE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Mezisoučet (1 jednotka)*
56,07 Kč
(bez DPH)
67,84 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 07. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 + | 56,07 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 735-132
- Výrobní číslo:
- SISD5110DN-T1-UE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 55A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | SiS | |
| Typ balení | PowerPAK 1212 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0095Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 100V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 57W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 4mm | |
| Délka | 4mm | |
| Výška | 1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 55A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada SiS | ||
Typ balení PowerPAK 1212 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0095Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 100V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 57W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 4mm | ||
Délka 4mm | ||
Výška 1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- DE
Výkonový MOSFET Vishay TrenchFET Gen V s N-kanálem je optimalizován pro spínání s nízkými ztrátami v řešeních serverů AI Power Server a napájecích zdrojů s vysokou hustotou. Dosahuje jmenovitého napětí odtoku-zdroje 100 V s výjimečně nízkým odporem při zapnutí maximálně 9,5 mΩ při pohonu hradla 10 V pro minimalizaci ztrát vedení.
Nepřetržitý vypouštěcí proud 55 A při TC = 25 °C
Maximální ztrátový výkon 57 W
Nízké celkové náboje hradla maximálně 29 nC
Související odkazy
- řada: SiS MOSFET SISD4604LDN-T1-UE3 N-kanálový 91 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiS MOSFET SISD5806DN-T1-UE3 N-kanálový 64 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiS MOSFET SISD5300DN-T1-GE3 N-kanálový 198 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIS MOSFET SIS112LDN-T1-GE3 N-kanálový 8.8 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIS MOSFET SISS66DN-T1-GE3 N-kanálový 178.3 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS64DN MOSFET SISS64DN-T1-UE3 N-kanálový 40 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS26DN MOSFET SISS26DN-T1-UE3 N-kanálový 60 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIS MOSFET SiSA12BDN-T1-GE3 N-kanálový 87 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový