řada: SISS26DN MOSFET SISS26DN-T1-UE3 N kanál-kanálový 60 A 60 V Vishay, PowerPAK 1212-8S, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 736-351
- Výrobní číslo:
- SISS26DN-T1-UE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
44,46 Kč
(bez DPH)
53,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 24. června 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 44,46 Kč |
| 10 - 24 | 29,15 Kč |
| 25 - 99 | 16,06 Kč |
| 100 - 499 | 15,81 Kč |
| 500 + | 15,31 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 736-351
- Výrobní číslo:
- SISS26DN-T1-UE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212-8S | |
| Řada | SISS26DN | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0045Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 24.5nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 57W | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 3.3mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 3.3mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení PowerPAK 1212-8S | ||
Řada SISS26DN | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0045Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 24.5nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 57W | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 3.3mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 3.3mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- IL
N-kanálový tranzistor MOSFET Vishay je navržen pro aplikace řízení napájení a nabízí robustní specifikace a efektivní provoz přizpůsobené pro náročná elektronická prostředí.
Technologie TrenchFET Gen IV zajišťuje vynikající výkon a účinnost
Je schopen zvládnout maximální napětí odvodu zdroje 60 V
Související odkazy
- řada: SISS26DN MOSFET SISS26DN-T1-BE3 N kanál-kanálový 60 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SISS5207DN-T1-UE3 P-kanál-kanálový -136.7 A -20 V Vishay počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET MOSFET SISS516DN-T1-UE3 N kanál-kanálový 59 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SISS586DN-T1-UE3 N kanál-kanálový 70.6 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SISS64DN MOSFET SISS64DN-T1-UE3 N kanál-kanálový 40 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SISS MOSFET SISS52DN-T1-UE3 Typ N-kanálový 162 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS64DN MOSFET SISS64DN-T1-BE3 N kanál-kanálový 40 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SISS52DN MOSFET SISS52DN-T1-BE3 N kanál-kanálový 162 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový