řada: SIS MOSFET SiSA12BDN-T1-GE3 N-kanálový 87 A 30 V Vishay, PowerPAK 1212-8PT, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 239-5399
- Výrobní číslo:
- SiSA12BDN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Nedostupné
Společnost RS již nebude tento výrobek vést skladem.
- Skladové číslo RS:
- 239-5399
- Výrobní číslo:
- SiSA12BDN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 87A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | SIS | |
| Typ balení | PowerPAK 1212-8PT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0043Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 52W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3.3mm | |
| Šířka | 3.3mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 0.75mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 87A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada SIS | ||
Typ balení PowerPAK 1212-8PT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0043Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 52W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3.3mm | ||
Šířka 3.3mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 0.75mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vishay N kanál MOSFET má vypouštěcí proud 87 A. Používá se pro vysokou hustotu výkonu DC/DC, synchronní rektifikaci, moduly VRM a vestavěné DC/DC, ochranu baterie
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- řada: SIS MOSFET SiSA12BDN-T1-GE3 N-kanálový 87 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SISA10BDN MOSFET SISA10BDN-T1-GE3 N-kanálový 104 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiSA14BDN MOSFET SISA14BDN-T1-GE3 Typ N-kanálový 72 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET SISA18BDN-T1-GE3 N-kanálový 44.4 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vyčerpání
- řada: SiS MOSFET SISD5300DN-T1-GE3 N-kanálový 198 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIS MOSFET SiSS588DN-T1-GE3 N-kanálový 58.1 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIS MOSFET SISS66DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 178.3 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIS MOSFET SIS112LDN-T1-GE3 N-kanálový 8.8 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení