řada: SISA10BDN MOSFET SISA10BDN-T1-GE3 N-kanálový 104 A 30 V Vishay, PowerPAK 1212-8PT, počet kolíků: 8 kolíkový

Skladové číslo RS:: 239-5397
Výrobní číslo:: SISA10BDN-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SISA10BDN MOSFET SISA10BDN-T1-GE3 N-kanálový 104 A 30 V Vishay, PowerPAK 1212-8PT, počet kolíků: 8 kolíkový

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

32 064,00 Kč

(bez DPH)

38 796,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 6 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	10,688 Kč	32 064,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 239-5397
Výrobní číslo:: SISA10BDN-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	104A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Řada	SISA10BDN
	Typ balení	PowerPAK 1212-8PT
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	0.0036Ω
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	11.7nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1.1V
	Maximální ztrátový výkon Pd	63W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	3.3mm
	Normy/schválení	RoHS
	Šířka	3.3mm
	Výška	750μm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 104A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Řada SISA10BDN
	Typ balení PowerPAK 1212-8PT
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 0.0036Ω
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 11.7nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1.1V
	Maximální ztrátový výkon Pd 63W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 3.3mm
	Normy/schválení RoHS
	Šířka 3.3mm
	Výška 750μm
	Automobilový standard Ne

MOSFET řady Vishay SISA10BDN, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 104 A – SISA10BDN-T1-GE3

Tento n-kanálový MOSFET je výkonový tranzistor pro povrchovou montáž navržený pro vysokoproudé spínání v kompaktních elektronických sestavách. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je vhodný pro náročné tepelné prostředí, kde je vyžadována efektivní vodivost a rychlá odezva hradla. Zařízení je nabízeno v nízkoprofilovém pouzdru optimalizovaném pro montáž na husto osazené desky.

Charakteristiky a výhody:

• Velmi nízký odpor při zapnutí 0.0036 Ω umožňuje snížení ztrát při vedení
• Vysoký nepřetržitý vypouštěcí proud 104 A podporuje přepínání při vysoké zátěži
• Jmenovité napětí potrubí-zdroj 30 V umožňuje nízkonapěťové napájecí konstrukce
• Typické nabití hradla 11,7 nC zajišťuje rychlejší přechody pohonu hradla
• Maximální ztrátový výkon 63 W umožňuje udržovat tepelnou zátěž
• Odolnost brány vůči zdroji 20 V zajišťuje prostor pro různé napětí pohonu

Aplikace

• Vhodné pro synchronní spínací stupně snižujícího regulátoru
• Ideální pro poloviční můstky budiče motoru v kompaktních měničích
• Používá se se spínači vysokoproudých zátěží v napájecích lištách serveru
• Lze použít pro správu baterií v systémech s vysokým vybíjením
• Vhodné pro polovodičová relé a napájecí moduly v automobilovém stylu

Jaký způsob montáže je vyžadován pro spolehlivou montáž?

Jedná se o součást pro povrchovou montáž ve formátu PowerPAK 1212-8PT, která je určena pro pájení přetavením na půdorys PCB a je navržena pro tepelný a elektrický kontakt.

Jak okolní teplota ovlivňuje provozní schopnost?

Zařízení je specifikováno pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje provoz v prostředí s teplotou pod nulou i při zvýšených teplotách s odpovídajícím tepelným řízením.

Jaký typ vodicího kanálu používá?

Používá kanál typu N, který je vhodný pro nízkonapěťové vysokoproudé spínací aplikace.

Je zařízení v souladu s omezeními v oblasti životního prostředí?

Splňuje požadavky RoHS, což znamená, že podle normy neobsahuje omezené nebezpečné látky.