řada: TrenchFET MOSFET SISH521EDN-T1-GE3 P-kanál-kanálový -104 A -20 V Vishay, PowerPAK 1212-8SH, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 735-266
- Výrobní číslo:
- SISH521EDN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 jednotka)*
17,29 Kč
(bez DPH)
20,92 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 05. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 + | 17,29 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 735-266
- Výrobní číslo:
- SISH521EDN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -104A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -20V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212-8SH | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.006Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 52W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 102nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.98mm | |
| Délka | 3.4mm | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Šířka | 3.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -104A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -20V | ||
Typ balení PowerPAK 1212-8SH | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.006Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 52W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 102nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.98mm | ||
Délka 3.4mm | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Šířka 3.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SiSH536DN-T1-GE3 Typ N PowerPAK 1212-8SH Vishay, počet kolíků: 8
- řada: SiSHA04DN MOSFET SISHA04DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SISF12EDN-T1-GE3 N kanál-kanálový 85 A 12 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SISA10DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 30 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SISA04DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiSS12DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 40 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET MOSFET SISS27DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 23 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiS110DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 14.2 A 100 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8