řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 23 A 30 V Vishay, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
919-4299
Výrobní číslo:
SISS27DN-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

23A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

PowerPAK 1212

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

9mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

57W

Přímé napětí Vf

-1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

92nC

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

0.78mm

Délka

3.3mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

MOSFET P-kanál, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.