řada: TrenchFET MOSFET SISS27DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 23 A 30 V Vishay, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

25 431,00 Kč

(bez DPH)

30 771,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +8,477 Kč25 431,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
919-4299
Výrobní číslo:
SISS27DN-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

23A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

PowerPAK 1212

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

9mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

92nC

Maximální ztrátový výkon Pd

57W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Přímé napětí Vf

-1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

3.3mm

Výška

780μm

Normy/schválení

No

Šířka

3.3mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

MOSFET P-kanál, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy