řada: SIS MOSFET SISS66DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 178.3 A 30 V Vishay, PowerPAK 1212-8S, počet kolíků: 8 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

233,17 Kč

(bez DPH)

282,14 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 6 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
10 - 9023,317 Kč233,17 Kč
100 - 24018,304 Kč183,04 Kč
250 - 49016,765 Kč167,65 Kč
500 - 99015,389 Kč153,89 Kč
1000 +13,151 Kč131,51 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
281-6040
Výrobní číslo:
SISS66DN-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

178.3A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

PowerPAK 1212-8S

Řada

SIS

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.00138Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

24.7nC

Maximální ztrátový výkon Pd

65.8W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

3.3mm

Normy/schválení

RoHS

Šířka

3.3 mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
N-kanálový MOSFET Vishay se Schottkyho diodou má aplikace v synchronním usměrňování, synchronním buckovém měniči a převodu DC/DC.

Výkonový MOSFET TrenchFET generace IV

SKYFET s monolitickou Schottkyho diodou

Související odkazy