řada: SiR MOSFET SiR584DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 80 V Vishay, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 239-5390
- Výrobní číslo:
- SiR584DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
315,42 Kč
(bez DPH)
381,66 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 5 805 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 63,084 Kč | 315,42 Kč |
| 50 - 245 | 59,33 Kč | 296,65 Kč |
| 250 - 495 | 53,648 Kč | 268,24 Kč |
| 500 - 1245 | 50,388 Kč | 251,94 Kč |
| 1250 + | 47,326 Kč | 236,63 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 239-5390
- Výrobní číslo:
- SiR584DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | SiR | |
| Typ balení | PowerPAK SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0039Ω | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 83.3W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 5.15mm | |
| Délka | 6.15mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada SiR | ||
Typ balení PowerPAK SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0039Ω | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 83.3W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 5.15mm | ||
Délka 6.15mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Vishay TrenchFET N kanál napájení MOSFET má vypouštěcí proud 100 A. Používá se pro synchronní rektifikaci, primární boční spínač, převodník DC/DC a spínač motorového pohonu.
Velmi nízká hodnota zásluh RDS x QG (FOM)
Vyladěno pro nejnižší RDS x Qoss FOM
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- řada: SiR MOSFET SiR584DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 100 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SiR582DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 116 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SiR4602LDP-T1-RE3 Typ N-kanálový 52.1 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SiR586DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 78.4 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SiR588DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 59.5 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiRA MOSFET SiRA54ADP-T1-RE3 Typ N-kanálový 128 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIR5710DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 26.8 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIR184LDP-T1-RE3 Typ N-kanálový 73 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení