řada: SiR MOSFET SiR4602LDP-T1-RE3 N-kanálový 52.1 A 60 V Vishay, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 239-5385
- Výrobní číslo:
- SiR4602LDP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 239-5385
- Výrobní číslo:
- SiR4602LDP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 52.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | SiR | |
| Typ balení | PowerPAK SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0088Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 19.1nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 43W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 52.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada SiR | ||
Typ balení PowerPAK SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0088Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 19.1nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 43W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vishay TrenchFET N kanál napájení MOSFET má vypouštěcí proud 52.1 A. Používá se pro synchronní rektifikaci, primární boční spínač, převodník DC/DC a spínač motorového pohonu.
Velmi nízká hodnota zásluh RDS x QG (FOM)
Vyladěno pro nejnižší RDS x Qoss FOM
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- řada: SiR MOSFET SiR4602LDP-T1-RE3 Typ N-kanálový 52.1 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SiR586DP-T1-RE3 N-kanálový 78.4 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SiR584DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SiR582DP-T1-RE3 N-kanálový 116 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SIR512DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIR626DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIR500DP-T1-RE3 N-kanálový 350.8 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIR5102DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení