řada: SiR MOSFET SIR5211DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 105 A 20 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9949
- Výrobní číslo:
- SIR5211DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
165,98 Kč
(bez DPH)
200,84 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 33,196 Kč | 165,98 Kč |
| 50 - 95 | 24,848 Kč | 124,24 Kč |
| 100 - 245 | 21,984 Kč | 109,92 Kč |
| 250 - 995 | 21,686 Kč | 108,43 Kč |
| 1000 + | 21,242 Kč | 106,21 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9949
- Výrobní číslo:
- SIR5211DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 105A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | SiR | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0062Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 158nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 56.8W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 5.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 105A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada SiR | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0062Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 158nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 56.8W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 5.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay je MOSFET s P-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.
Výkonový MOSFET TrenchFET
100% testování Rg a UIS
Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)
Související odkazy
- řada: SiR MOSFET SIR5211DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 105 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIRS4302DP-T1-GE3 N-kanálový 518 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIRS5800DP-T1-GE3 N-kanálový 265 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIRS5100DP-T1-GE3 N-kanálový 241 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SiR4602LDP-T1-RE3 N-kanálový 52.1 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SiR582DP-T1-RE3 N-kanálový 116 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SIR5112DP-T1-RE3 N-kanálový 42.6 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIR5110DP-T1-RE3 N-kanálový 47.6 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení