řada: SiR MOSFET SIRS5800DP-T1-GE3 N-kanálový 265 A 80 V Vishay, PowerPAK SO-8S, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 735-133
- Výrobní číslo:
- SIRS5800DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
99,29 Kč
(bez DPH)
120,14 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 01. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 99,29 Kč |
| 10 - 99 | 50,88 Kč |
| 100 - 499 | 46,19 Kč |
| 500 + | 39,03 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 735-133
- Výrobní číslo:
- SIRS5800DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 265A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | PowerPAK SO-8S | |
| Řada | SiR | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0018Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 240W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 81nC | |
| Přímé napětí Vf | 80V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 5mm | |
| Výška | 2mm | |
| Délka | 6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 265A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení PowerPAK SO-8S | ||
Řada SiR | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0018Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 240W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 81nC | ||
Přímé napětí Vf 80V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 5mm | ||
Výška 2mm | ||
Délka 6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový MOSFET Vishay s jmenovitým napětím 80 V, optimalizovaný pro nízkoztrátové synchronní usměrnění v buckových převodnících napájecího serveru AI. Dosahuje špičkového odporu při zapnutí maximálně 1,8 mΩ při pohonu hradla 10 V pro vynikající účinnost v podmínkách vysokého zatížení.
Jmenovitý pulzní vypouštěcí proud 265 A
Typický celkový náboj hradla 81 nC
Tepelný odpor 52 °C/W pro spojování s pouzdrem
Související odkazy
- řada: SiR MOSFET SIRS5100DP-T1-GE3 N-kanálový 241 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIRS4302DP-T1-GE3 N-kanálový 518 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS5800DP-T1-GE3 N-kanálový 265 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS5800DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 265 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIRS4600DP-T1-RE3 N-kanálový 359 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIRS4300DP-T1-RE3 N-kanálový 680 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIRS4400DP-T1-RE3 N-kanálový 473 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SIRA12DP-T1-GE3 N-kanálový 25 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8