řada: SiR MOSFET SiRS4600DP N kanál-kanálový 359 A 60 V Vishay, PowerPAK SO-8S, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 735-137
- Výrobní číslo:
- SiRS4600DP
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
103,25 Kč
(bez DPH)
124,93 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 09. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 103,25 Kč |
| 10 - 49 | 63,97 Kč |
| 50 - 99 | 49,40 Kč |
| 100 + | 36,56 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 735-137
- Výrobní číslo:
- SiRS4600DP
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N kanál | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 359A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | PowerPAK SO-8S | |
| Řada | SiR | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.00115Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 108nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 60V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 278W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 5mm | |
| Výška | 2mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N kanál | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 359A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení PowerPAK SO-8S | ||
Řada SiR | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.00115Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 108nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 60V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 278W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 5mm | ||
Výška 2mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-kanálový MOSFET Vishay s jmenovitým napětím zdroje 60 V, navržený pro mimořádně nízké ztrátové spínání v aplikacích napájecích serverů AI a vysokoproudých měničů DC/DC. Vyznačuje se špičkovým odporem při zapnutí maximálně 1,2 mΩ při napětí 10 V pro maximalizaci účinnosti v synchronních usměrňovacích topologiích.
Nepřetržitý vypouštěcí proud 334 A při TC = 25 °C
Nízká hodnota RDS(on) x Qg pro optimální účinnost spínání
Testováno na 100% Rg a UIS pro zajištění spolehlivosti
Související odkazy
- řada: SiR MOSFET SiRS5100DP N kanál-kanálový 241 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SiRS4302DP N kanál-kanálový 518 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SiRS4400DP N kanál-kanálový 473 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SiRS5800DP N kanál-kanálový 265 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SiRS4300DP N kanál-kanálový 680 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SiR5102DP N kanál-kanálový 100 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SiR510DP N kanál-kanálový 126 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SiR626DP N kanál-kanálový 100 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení