řada: SiR MOSFET SIR5110DP-T1-RE3 N-kanálový 47.6 A 100 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9944
- Výrobní číslo:
- SIR5110DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 4 kusech)*
268,00 Kč
(bez DPH)
324,28 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 6 000 jednotka(y) budou odesílané od 14. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 67,00 Kč | 268,00 Kč |
| 60 - 96 | 65,518 Kč | 262,07 Kč |
| 100 - 236 | 58,23 Kč | 232,92 Kč |
| 240 - 996 | 57,12 Kč | 228,48 Kč |
| 1000 + | 55,945 Kč | 223,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9944
- Výrobní číslo:
- SIR5110DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 47.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | SiR | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0125Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 59.5W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 5.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 47.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada SiR | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0125Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 59.5W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 5.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay je MOSFET s N-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.
Výkonový MOSFET TrenchFET
Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)
Velmi nízká hodnota RDS x hodnota Qg podle zásluh
100% testování Rg a UIS
Související odkazy
- řada: SiR MOSFET SIR5110DP-T1-RE3 N-kanálový 47.6 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SiR586DP-T1-RE3 N-kanálový 78.4 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SiR584DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SiR4602LDP-T1-RE3 N-kanálový 52.1 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SiR582DP-T1-RE3 N-kanálový 116 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiR MOSFET SIR5112DP-T1-RE3 N-kanálový 42.6 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIR5108DP-T1-RE3 N-kanálový 55.9 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR MOSFET SIR5808DP-T1-RE3 N-kanálový 66.8 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení