řada: IPD MOSFET IPD079N06L3GATMA1 N-kanálový 50 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 273-3003
Výrobní číslo:: IPD079N06L3GATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: IPD MOSFET IPD079N06L3GATMA1 N-kanálový 50 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

29 250,00 Kč

(bez DPH)

35 400,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 08. března 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	11,70 Kč	29 250,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 273-3003
Výrobní číslo:: IPD079N06L3GATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	50A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	TO-252
	Řada	IPD
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	13.50mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	50nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	RoHS
	Šířka	6.731mm
	Délka	10.48mm
	Výška	6.223mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení TO-252
	Řada IPD
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 13.50mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 50nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení RoHS
	Šířka 6.731mm
	Délka 10.48mm
	Výška 6.223mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPD079N06L3GATMA1

MOSFET Infineon řady IPD, maximální napětí drain-zdroj 60 V, maximální nepřetržitý drain 50 A – IPD079N06L3GATMA1

Tento MOSFET je tříkolíkové vylepšovací zařízení s N-kanálem navržené pro spínání a regulaci výkonu. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je dodáván v pouzdru s průchozím otvorem TO‐252, díky čemuž je vhodný pro aplikace, kde je vyžadována robustní tepelná tolerance a konvenční montáž.

Charakteristiky a výhody:

• Nízká hodnota Rds(on) 13.5 mΩ pro nižší ztráty při vedení
• Jmenovitá hodnota 60 V Vds umožňuje přepínání napájení při středním napětí
• Zvládání nepřetržitého proudu 50 A pro obvody s vysokým proudem
• Typický náboj hradla 50 nC pro předvídatelné požadavky na ovládání hradla
• Provozní rozsah -55 až 175 °C pro rozšířenou teplotní odolnost

Aplikace

• Používá se pro vysokoproudé řídicí obvody stejnosměrných motorů
• Vhodné pro rozvod napájení v průmyslových regulátorech
• Ideální pro spínané výstupní stupně napájecího zdroje
• Lze použít pro správu akumulátoru a přepínání zátěže
• Používá se s ovladači hradla ve stupních předního konce měniče

Jaké rozpětí napětí hradla je přípustné pro bezpečný provoz?

Zařízení přijímá až 20 V mezi bránou a zdrojem jako maximální napětí mezi bránou a zdrojem.

Jak balení ovlivňuje možnosti montáže a chlazení?

Pouzdro TO‐252 s průchozím otvorem nabízí konvenční způsob montáže a umožňuje chlazení kompatibilních desek.

Jaké extrémní podmínky prostředí dokáže během provozu odolat?

Je určen pro provoz při okolní teplotě až -55 °C a až 175 °C.

Je zařízení specifikováno pro dodržování automobilových norem?

Není označen jako splňující certifikaci podle automobilových norem.

Splňuje omezení v oblasti environmentálních látek?

Má schválení RoHS, které označuje omezení některých nebezpečných látek.