řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 31 A 650 V Infineon, TO-252 Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

25 727,50 Kč

(bez DPH)

31 130,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 15. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2500 +10,291 Kč25 727,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
258-3853
Výrobní číslo:
IPD60R280PFD7SAUMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

31A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

TO-252

Řada

IPD

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

210mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.2V

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Infineon 600V CoolMOS PFD7 super spojovací MOSFET doplňuje nabídku CoolMOS 7 pro spotřebitelské aplikace. Superkonekční MOSFET CoolMOS PFD7 v pouzdru TO 252 DPAK nabízí RDS(on) 280 mOhm, což vede k nízkým spínacím ztrátám. Produkty jsou dodávány s integrovanou diodou s rychlým tělem, která zajišťuje robustní zařízení. Rychlá tělesná dioda a přední průmyslové pouzdro SMD snižují prostor na desce plošných spojů a zase spotřebu materiálu zákazníka. Tato řada produktů je přizpůsobena pro mimořádně vysokou hustotu výkonu a také pro konstrukce s nejvyšší účinností. Produkty jsou určeny především pro nabíječky s mimořádně vysokou hustotou, adaptéry a pohony motorů s nízkou spotřebou energie. Model 600 V CoolMOS PFD7 nabízí lepší účinnost při lehké a plné zátěži oproti technologiím CoolMOS P7 a CE MOSFET, což má za následek zvýšení hustoty výkonu o 1,8 W/in3.

Vynikající odolnost při přepínání

Nízká hodnota EMI

Široké portfolio balení

Snížení nákladů BOM a snadná výroba

Robustnost a spolehlivost

Snadný výběr správných dílů pro jemné ladění konstrukce

Související odkazy