řada: IPD MOSFET Typ P-kanálový 42 A 650 V Infineon, TO-252 N
- Skladové číslo RS:
- 258-3851
- Výrobní číslo:
- IPD60R210PFD7SAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*
42 015,00 Kč
(bez DPH)
50 837,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 14. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2500 + | 16,806 Kč | 42 015,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3851
- Výrobní číslo:
- IPD60R210PFD7SAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 42A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | IPD | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 210mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 42A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada IPD | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 210mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 600V CoolMOS PFD7 super spojovací MOSFET doplňuje nabídku CoolMOS 7 pro spotřebitelské aplikace. MOSFET 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction v pouzdru TO-252 DPAK nabízí RDS(on) 210 mOhm, což vede k nízkým spínacím ztrátám. Produkty jsou dodávány s integrovanou diodou s rychlým tělem, která zajišťuje robustní zařízení. Rychlá tělesná dioda a přední průmyslové pouzdro SMD společnosti Infineon snižují prostor na desce plošných spojů a zase spotřebu materiálu zákazníka. Tato řada produktů je přizpůsobena pro mimořádně vysokou hustotu výkonu a také pro konstrukce s nejvyšší účinností. Produkty jsou určeny především pro nabíječky s mimořádně vysokou hustotou, adaptéry a pohony motorů s nízkou spotřebou energie. Model 600 V CoolMOS PFD7 nabízí lepší účinnost při lehké a plné zátěži oproti technologiím CoolMOS P7 a CE MOSFET, což má za následek zvýšení hustoty výkonu o 1,8 W/in3.
Vynikající odolnost při přepínání
Nízká hodnota EMI
Široké portfolio balení
Snížení nákladů BOM a snadná výroba
Robustnost a spolehlivost
Snadný výběr správných dílů pro jemné ladění konstrukce
Související odkazy
- řada: IPD MOSFET IPD60R210PFD7SAUMA1 Typ P-kanálový 42 A 650 V Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ P-kanálový 15.1 A Infineon, TO-252 P
- řada: IPD MOSFET IPD65R400CEAUMA1 Typ P-kanálový 15.1 A Infineon, TO-252 P
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 4.5 A 650 V Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 24 A 650 V Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 31 A 650 V Infineon, TO-252 Vylepšení
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 14 A 650 V Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ P-kanálový 2.6 A Infineon, TO-252 N