řada: IPD MOSFET N-kanálový 50 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-3004
- Výrobní číslo:
- IPD079N06L3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 23%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
224,28 Kč
(bez DPH)
271,38 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 285 jednotka(y) budou odesílané od 07. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 44,856 Kč | 224,28 Kč | - |
| 50 - 95 | 34,482 Kč | 172,41 Kč | 23% |
| 100 - 245 | 31,962 Kč | 159,81 Kč | 28% |
| 250 - 995 | 31,418 Kč | 157,09 Kč | 29% |
| 1000 + | 30,924 Kč | 154,62 Kč | 31% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-3004
- Výrobní číslo:
- IPD079N06L3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 50A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | IPD | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13.50mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 6.731mm | |
| Délka | 10.48mm | |
| Výška | 6.223mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada IPD | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13.50mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 6.731mm | ||
Délka 10.48mm | ||
Výška 6.223mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady IPD, maximální napětí drain-zdroj 60 V, maximální nepřetržitý drain 50 A – IPD079N06L3GATMA1
Tento MOSFET je tříkolíkové vylepšovací zařízení s N-kanálem navržené pro spínání a regulaci výkonu. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je dodáván v pouzdru s průchozím otvorem TO‐252, díky čemuž je vhodný pro aplikace, kde je vyžadována robustní tepelná tolerance a konvenční montáž.
Charakteristiky a výhody:
• Nízká hodnota Rds(on) 13.5 mΩ pro nižší ztráty při vedení
• Jmenovitá hodnota 60 V Vds umožňuje přepínání napájení při středním napětí
• Zvládání nepřetržitého proudu 50 A pro obvody s vysokým proudem
• Typický náboj hradla 50 nC pro předvídatelné požadavky na ovládání hradla
• Provozní rozsah -55 až 175 °C pro rozšířenou teplotní odolnost
• Jmenovitá hodnota 60 V Vds umožňuje přepínání napájení při středním napětí
• Zvládání nepřetržitého proudu 50 A pro obvody s vysokým proudem
• Typický náboj hradla 50 nC pro předvídatelné požadavky na ovládání hradla
• Provozní rozsah -55 až 175 °C pro rozšířenou teplotní odolnost
Aplikace
• Používá se pro vysokoproudé řídicí obvody stejnosměrných motorů
• Vhodné pro rozvod napájení v průmyslových regulátorech
• Ideální pro spínané výstupní stupně napájecího zdroje
• Lze použít pro správu akumulátoru a přepínání zátěže
• Používá se s ovladači hradla ve stupních předního konce měniče
• Vhodné pro rozvod napájení v průmyslových regulátorech
• Ideální pro spínané výstupní stupně napájecího zdroje
• Lze použít pro správu akumulátoru a přepínání zátěže
• Používá se s ovladači hradla ve stupních předního konce měniče
Jaké rozpětí napětí hradla je přípustné pro bezpečný provoz?
Zařízení přijímá až 20 V mezi bránou a zdrojem jako maximální napětí mezi bránou a zdrojem.
Jak balení ovlivňuje možnosti montáže a chlazení?
Pouzdro TO‐252 s průchozím otvorem nabízí konvenční způsob montáže a umožňuje chlazení kompatibilních desek.
Jaké extrémní podmínky prostředí dokáže během provozu odolat?
Je určen pro provoz při okolní teplotě až -55 °C a až 175 °C.
Je zařízení specifikováno pro dodržování automobilových norem?
Není označen jako splňující certifikaci podle automobilových norem.
Splňuje omezení v oblasti environmentálních látek?
Má schválení RoHS, které označuje omezení některých nebezpečných látek.
Související odkazy
- řada: IPD MOSFET IPD079N06L3GATMA1 N-kanálový 50 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET N-kanálový 139 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET N-kanálový 120 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET N-kanálový 90 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET IPD038N06NF2SATMA1 N-kanálový 120 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET IPD028N06NF2SATMA1 N-kanálový 139 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET IPD048N06L3GATMA1 N-kanálový 90 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení