řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 90 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-3002
- Výrobní číslo:
- IPD048N06L3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
356,67 Kč
(bez DPH)
431,57 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 040 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 71,334 Kč | 356,67 Kč |
| 50 - 95 | 54,736 Kč | 273,68 Kč |
| 100 - 245 | 50,932 Kč | 254,66 Kč |
| 250 - 995 | 49,844 Kč | 249,22 Kč |
| 1000 + | 49,004 Kč | 245,02 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-3002
- Výrobní číslo:
- IPD048N06L3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 90A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | IPD | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 6.731mm | |
| Výška | 6.223mm | |
| Délka | 10.48mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 90A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada IPD | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 6.731mm | ||
Výška 6.223mm | ||
Délka 10.48mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET společnosti Infineon je dokonalou volbou pro synchronní usměrňování v napájecích zdrojích spínaného režimu, jako jsou například napájecí zdroje v serverech a stolních počítačích a nabíječkách tabletů. Kromě toho lze tato zařízení použít pro širokou škálu průmyslových aplikací
Nejvyšší účinnost systému
Vyžaduje méně paralelizace
Zvýšená hustota výkonu
Související odkazy
- řada: IPD MOSFET IPD048N06L3GATMA1 Typ N-kanálový 90 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 90 A Infineon, TO-252 N
- řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 50 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení