AEC-Q101, řada: IPD MOSFET N-kanálový 90 A 40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 229-1836
Výrobní číslo:: IPD90N04S4L04ATMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IPD MOSFET N-kanálový 90 A 40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

24 822,50 Kč

(bez DPH)

30 035,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 10 000 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	9,929 Kč	24 822,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 229-1836
Výrobní číslo:: IPD90N04S4L04ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	90A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Řada	IPD
	Typ balení	TO-252
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	3.8mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	46nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd	71W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Šířka	6.22mm
	Výška	2.3mm
	Normy/schválení	No
	Délka	6.5mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 90A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Řada IPD
	Typ balení TO-252
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 3.8mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 46nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd 71W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Šířka 6.22mm
	Výška 2.3mm
	Normy/schválení No
	Délka 6.5mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD90N04S4L04ATMA1

MOSFET Infineon řady IPD, maximální zdrojové napětí vypouštění 40 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 90 A – IPD90N04S4L04ATMA1

Tento tranzistor MOSFET je polovodičový spínač navržený pro vysokoproudové stejnosměrné aplikace a montáž na povrch, který podporuje provoz s rozšířenou teplotou a kvalifikaci pro automobilový průmysl pro použití v náročných prostředích.

Charakteristiky a výhody:

• Maximální vypouštěcí proud 90 A umožňuje vysokou spínací kapacitu při zátěži
• Nízké hodnoty Rds(on) 3,8 mΩ snižují ztráty při vedení během provozu
• Maximální ztrátový výkon 71 W podporuje trvalé tepelné zatížení
• Nabíjení hradla 46 nC umožňuje předvídatelné spínání
• Jmenovité napětí zdroje 40 V chrání před běžnými přechodovými jevy napětí
• Napětí propustné diody 1.3 V omezuje pokles během zpětné vodivosti

Aplikace

• Vhodné pro stupně pohonu elektrických motorů ve vozidlech
• Ideální pro výstupy vysokoproudých měničů DC/DC
• Používá se s moduly pro rozvod napájení v automobilové elektronice
• Lze použít pro synchronní usměrňování v napájecích zdrojích
• Vhodné pro správu baterií a nabíjecí obvody

Jaký teplotní rozsah může tato součást tolerovat při náročném použití?

Pracuje spolehlivě v rozsahu -55 °C až 175 °C.

Jak je zabalen pro montáž na desku plošných spojů a montáž na úroveň desky?

Dodává se v pouzdru TO-252 pro povrchovou montáž pro přímé pájení.

Jakým extrémním napětím hradla by se mělo zabránit, aby se zabránilo poškození?

Napětí mezi bránou a zdrojem nesmí překročit ±20 V, aby byla zachována integrita brány.

Kolik elektrických připojení poskytuje desce?

Poskytuje tři kolíky pro drenážní, hradlové a zdrojové připojení na PCB.