AEC-Q101, řada: IPD MOSFET N-kanálový 14 A 950 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 217-2535
Výrobní číslo:: IPD95R450P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IPD MOSFET N-kanálový 14 A 950 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

60 372,50 Kč

(bez DPH)

73 050,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 08. března 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	24,149 Kč	60 372,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 217-2535
Výrobní číslo:: IPD95R450P7ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	14A
	Maximální napětí na zdroji Vds	950V
	Typ balení	TO-252
	Řada	IPD
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	450mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	104W
	Přímé napětí Vf	900mV
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	35nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	2.41mm
	Šířka	6.22mm
	Normy/schválení	No
	Délka	6.73mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 14A
	Maximální napětí na zdroji Vds 950V
	Typ balení TO-252
	Řada IPD
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 450mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 104W
	Přímé napětí Vf 900mV
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 35nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 2.41mm
	Šířka 6.22mm
	Normy/schválení No
	Délka 6.73mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD95R450P7ATMA1

MOSFET Infineon řady IPD, napětí zdroje vypouštění 950 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 14 A – IPD95R450P7ATMA1

Tento MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení s N-kanálem navržené pro spínání a řízení napájení v náročných elektrických systémech. Pracuje v širokém teplotním rozsahu pro průmyslové a automobilové kontexty a je dodáván v pouzdru TO-252 pro povrchovou montáž pro kompaktní integraci na úrovni desky.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovité napětí drain-source 950 V umožňující vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 14 A pro udržitelnou manipulaci se zátěží
• Rozptýlení výkonu 104 W pro zvládání tepelného namáhání při zátěži
• RDS(on) 450 mΩ snižující ztráty při vedení během provozu
• Typický náboj hradla 35 nC umožňující předvídatelné spínání
• Maximální napětí zdroje hradla 20 V podporuje robustní ovladač hradla

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové stupně převodu napájení
• Ideální pro automobilové napájecí subsystémy splňující požadavky AEC-Q101
• Používá se se spínanými napájecími zdroji, které zvládají zvýšené napětí
• Lze použít pro průmyslová rozhraní motorů a pohonů
• Používá se pro měniče DC/DC vyžadující tvarový činitel pro povrchovou montáž

V jakém teplotním rozsahu může spolehlivě pracovat?

Je určen pro nepřetržité použití v rozsahu -55 °C až 150 °C.

Kolik kolíků má zařízení pro směrování desek plošných spojů?

Součást má tři elektrické připojení pro hradlo, odvod a zdroj.

Jaká metoda montáže je vyžadována pro montáž?

Je určen pro povrchovou montáž na příslušné pájecí podložky.

Jaké je propustné napětí vnitřní tělesné diody?

Proudové napětí diody je specifikováno jako 0,9 V.