AEC-Q101, řada: IPD MOSFET Typ N-kanálový 2 A 800 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

32 530,00 Kč

(bez DPH)

39 362,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 14. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2500 +13,012 Kč32 530,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
217-2531
Výrobní číslo:
IPD80R2K7C3AATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Typ balení

TO-252

Řada

IPD

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

2.7Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

12nC

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální ztrátový výkon Pd

42W

Přímé napětí Vf

1.2V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

6.22mm

Normy/schválení

No

Výška

2.41mm

Délka

6.73mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Technologie Infineon CoolMOS™ C3A byla navržena tak, aby splňovala rostoucí nároky na vyšší systémová napětí v oblasti elektrických vozidel, jako jsou PHEV a BEV.

Nejlepší kvalita a spolehlivost ve své třídě

Vyšší poruchové napětí

Možnost vysokého proudu Peak

Certifikace AEC Q101 pro automobilový průmysl

Zelený balíček (v souladu se směrnicí RoHS)

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.