AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD80R2K7C3AATMA1 Typ N-kanálový 2 A 800 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*

413,58 Kč

(bez DPH)

500,44 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 4 620 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
20 +20,679 Kč413,58 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
217-2532
Výrobní číslo:
IPD80R2K7C3AATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2A

Maximální napětí na zdroji Vds

800V

Řada

IPD

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

2.7Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

42W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

12nC

Minimální provozní teplota

-40°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

6.73mm

Výška

2.41mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

AEC-Q101

Technologie Infineon CoolMOS™ C3A byla navržena tak, aby splňovala rostoucí nároky na vyšší systémová napětí v oblasti elektrických vozidel, jako jsou PHEV a BEV.

Nejlepší kvalita a spolehlivost ve své třídě

Vyšší poruchové napětí

Možnost vysokého proudu Peak

Certifikace AEC Q101 pro automobilový průmysl

Zelený balíček (v souladu se směrnicí RoHS)

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.