řada: HEXFET MOSFET IRF7465TRPBF Typ N-kanálový 1.9 A 150 V Infineon, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 262-6736
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-41-668
- Výrobní číslo:
- IRF7465TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
443,125 Kč
(bez DPH)
536,175 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 975 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 17,725 Kč | 443,13 Kč |
| 125 - 225 | 16,846 Kč | 421,15 Kč |
| 250 - 600 | 16,114 Kč | 402,85 Kč |
| 625 - 1225 | 15,432 Kč | 385,80 Kč |
| 1250 + | 10,256 Kč | 256,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 262-6736
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-41-668
- Výrobní číslo:
- IRF7465TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 280mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 5mm | |
| Výška | 1.75mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 280mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 5mm | ||
Výška 1.75mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET společnosti Infineon má nízký náboj Gate-to-Drain pro snížení spínacích ztrát. Je vhodný pro použití s vysokofrekvenčními měniči DC/DC.
Plně charakterizované lavinové napětí a proud
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 1.9 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 8 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF7351TRPBF Typ N-kanálový 8 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 14 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 13 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 6.9 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.6 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení