řada: HEXFET MOSFET IRF7351TRPBF N-kanálový 8 A 60 V Infineon, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 273-2805
Výrobní číslo:: IRF7351TRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET IRF7351TRPBF N-kanálový 8 A 60 V Infineon, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*

55 072,00 Kč

(bez DPH)

66 636,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 26. října 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
4000 +	13,768 Kč	55 072,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 273-2805
Výrobní číslo:: IRF7351TRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	8A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	SO-8
	Řada	HEXFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	17.8mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	36nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	2W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení SO-8
	Řada HEXFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 17.8mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 36nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 2W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS

Datasheet - IRF7351TRPBF

Země původu (Country of Origin):: PH

MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí vypouštění-zdroj 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 8 A – IRF7351TRPBF

Tento MOSFET je vylepšovací zařízení s N-kanálem navržené pro povrchové spínání a řízení napájení v kompaktních sestavách. Pracuje v rozšířeném teplotním rozsahu, který je vhodný pro náročné prostředí, a je dodáván v pouzdru SO-8 pro automatizované montážní procesy.

Charakteristiky a výhody:

• Rds(on) 17,8 mΩ snižuje ztráty při vedení při vysokoproudém spínání
• 60 V Vds umožňuje provoz ve stupních středního napětí
• Model 8A Id podporuje velké množství nepřetržitého proudu
• Model 36nC Qg zlepšuje ovládání spínání pro konstrukci obvodů pohonu
• 2W Pd omezuje tepelné namáhání v omezeném uspořádání desek plošných spojů

Aplikace

• Vhodné pro vysokoproudé napájecí stupně SMD
• Ideální pro extrémní provoz automobilové elektroniky
• Používá se s kompaktními moduly motorů a ovladačů
• Lze použít pro výstupní stupně měničů DC/DC
• Vhodné pro implementace spínačů zátěže pro povrchovou montáž

Jaká omezení napětí hradla je třeba dodržovat?

Hradlo nesmí překročit 20 V vzhledem ke zdroji, aby se zabránilo poškození.

Jak tepelný rozsah ovlivňuje volbu nasazení?

Zařízení funguje v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v prostředí s prodlouženou teplotou.

Jaký způsob montáže je pro tuto součást vyžadován?

Je určen pro povrchovou montáž v půdorysu SO-8 pro automatizované pájení.

Jaký režim vedení kanálu je implementován?

Tranzistor pracuje v režimu zesílení s vedením kanálu typu N.