řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 8 A 60 V Infineon, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-2806
- Výrobní číslo:
- IRF7351TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
254,41 Kč
(bez DPH)
307,835 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 07. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 50,882 Kč | 254,41 Kč |
| 50 - 95 | 46,436 Kč | 232,18 Kč |
| 100 - 495 | 42,632 Kč | 213,16 Kč |
| 500 - 1995 | 36,408 Kč | 182,04 Kč |
| 2000 + | 35,618 Kč | 178,09 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-2806
- Výrobní číslo:
- IRF7351TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 17.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 17.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
- Země původu (Country of Origin):
- PH
MOSFET Infineon je výkonový MOSFET HEXFET s kanálem 60 V N. Tento MOSFET se používá pro systémy pohonu motoru s nízkým výkonem a pro izolované měniče DC/DC.
Mimořádně nízká impedance hradla
Maximální jmenovitá hodnota hradla 20 V VGS
Plně charakterizované lavinové napětí a proud
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRF7351TRPBF Typ N-kanálový 8 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 14 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 13 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 6.9 A 100 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.6 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 1.9 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF7458TRPBF Typ N-kanálový 14 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení