řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 21 A 30 V Infineon, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 257-9323
Výrobní číslo:: IRF7862TRPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 21 A 30 V Infineon, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*

50 740,00 Kč

(bez DPH)

61 396,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 02. března 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
4000 +	12,685 Kč	50 740,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 257-9323
Výrobní číslo:: IRF7862TRPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	21A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	SO-8
	Řada	HEXFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	4.5mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1V
	Maximální ztrátový výkon Pd	2.5W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	30nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 21A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení SO-8
	Řada HEXFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 4.5mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1V
	Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 30nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IRF7862TRPBF

MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí vypouštění-zdroj 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 21 A – IRF7862TRPBF

Tento N-kanálový MOSFET s režimem zesílení v pouzdru SO-8 je výkonový tranzistor pro povrchovou montáž navržený pro vysokoproudé spínání v kompaktních sestavách. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí a splňuje směrnici RoHS, díky čemuž je vhodný pro aplikace, které vyžadují kompaktní bezolovnatá napájecí zařízení SMD.

Charakteristiky a výhody:

• Rds(on) 4.5 mΩ zajišťuje nízké ztráty při vodivosti při zátěži
• 30 V Vds umožňuje střední napěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 21 A podporuje vysokoproudé obvody
• Typický náboj hradla 30 nC umožňuje mírné ovládání spínací rychlosti
• Rozptýlení výkonu 2.5 W zajišťuje řízení tepelné zátěže ve stísněných prostorech

Aplikace

• Vhodné pro stejnosměrné rozvodné moduly
• Ideální pro stupně budiče motoru na úrovni desky
• Používá se s regulátory napětí pro spínání zátěže
• Lze použít pro ochranné obvody baterií
• Vhodné pro řízení napájení v kompaktních měničích

Jaké limity napětí hradla je třeba dodržovat?

Zařízení nesmí překročit ±20 V mezi hradlem a zdrojem, aby se zabránilo dielektrickému namáhání hradla.

Jak balení ovlivňuje tepelnou manipulaci?

Pouzdro SO-8 pro povrchovou montáž omezuje chlazení, takže se doporučuje použít měděnou desku a tepelné vodiče, které pomáhají rozptýlit povolený výkon 2,5 W.

Jaký rozsah okolních teplot dokáže odolat?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což je vhodné pro použití v širokém rozsahu teplot.

Je toto zařízení vhodné pro kvalifikaci v automobilovém průmyslu?

Není specifikováno, že splňuje normy pro automobilový průmysl, a nelze předpokládat, že odpovídá normám pro automobilový průmysl.