řada: HEXFET MOSFET IRF7862TRPBF Typ N-kanálový 21 A 30 V Infineon, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 257-9324
- Výrobní číslo:
- IRF7862TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
243,30 Kč
(bez DPH)
294,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 975 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 48,66 Kč | 243,30 Kč |
| 50 - 120 | 38,828 Kč | 194,14 Kč |
| 125 - 245 | 35,914 Kč | 179,57 Kč |
| 250 - 495 | 33,542 Kč | 167,71 Kč |
| 500 + | 21,884 Kč | 109,42 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9324
- Výrobní číslo:
- IRF7862TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 21A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.5mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 21A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.5mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRF je 30V jednoduchý n-kanálový výkonový HEXFET mosfet v pouzdru SO 8.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Optimalizováno pro napětí pohonu hradla 5 V (tzv. logická úroveň)
Pouzdro pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Možnost pájení vlnou
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 21 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET Pole MOSFET IRF7831TRPBF Typ N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1
- řada: HEXFET MOSFET IRF8734TRPBF Typ N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET Pole MOSFET Typ N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 5 A Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový -8 A -30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRF7205TRPBF Typ P-kanálový 5 A Infineon počet kolíků: 8 kolíkový