řada: HEXFET MOSFET IRF7862TRPBF N-kanálový 21 A 30 V Infineon, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 257-9324
- Výrobní číslo:
- IRF7862TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
243,30 Kč
(bez DPH)
294,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 975 jednotka(y) budou odesílané od 27. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 48,66 Kč | 243,30 Kč |
| 50 - 120 | 38,828 Kč | 194,14 Kč |
| 125 - 245 | 35,914 Kč | 179,57 Kč |
| 250 - 495 | 33,542 Kč | 167,71 Kč |
| 500 + | 21,884 Kč | 109,42 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9324
- Výrobní číslo:
- IRF7862TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 21A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 21A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 30nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon řady HEXFET, maximální napětí vypouštění-zdroj 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 21 A – IRF7862TRPBF
Tento N-kanálový MOSFET s režimem zesílení v pouzdru SO-8 je výkonový tranzistor pro povrchovou montáž navržený pro vysokoproudé spínání v kompaktních sestavách. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí a splňuje směrnici RoHS, díky čemuž je vhodný pro aplikace, které vyžadují kompaktní bezolovnatá napájecí zařízení SMD.
Charakteristiky a výhody:
• Rds(on) 4.5 mΩ zajišťuje nízké ztráty při vodivosti při zátěži
• 30 V Vds umožňuje střední napěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 21 A podporuje vysokoproudé obvody
• Typický náboj hradla 30 nC umožňuje mírné ovládání spínací rychlosti
• Rozptýlení výkonu 2.5 W zajišťuje řízení tepelné zátěže ve stísněných prostorech
• 30 V Vds umožňuje střední napěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 21 A podporuje vysokoproudé obvody
• Typický náboj hradla 30 nC umožňuje mírné ovládání spínací rychlosti
• Rozptýlení výkonu 2.5 W zajišťuje řízení tepelné zátěže ve stísněných prostorech
Aplikace
• Vhodné pro stejnosměrné rozvodné moduly
• Ideální pro stupně budiče motoru na úrovni desky
• Používá se s regulátory napětí pro spínání zátěže
• Lze použít pro ochranné obvody baterií
• Vhodné pro řízení napájení v kompaktních měničích
• Ideální pro stupně budiče motoru na úrovni desky
• Používá se s regulátory napětí pro spínání zátěže
• Lze použít pro ochranné obvody baterií
• Vhodné pro řízení napájení v kompaktních měničích
Jaké limity napětí hradla je třeba dodržovat?
Zařízení nesmí překročit ±20 V mezi hradlem a zdrojem, aby se zabránilo dielektrickému namáhání hradla.
Jak balení ovlivňuje tepelnou manipulaci?
Pouzdro SO-8 pro povrchovou montáž omezuje chlazení, takže se doporučuje použít měděnou desku a tepelné vodiče, které pomáhají rozptýlit povolený výkon 2,5 W.
Jaký rozsah okolních teplot dokáže odolat?
Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což je vhodné pro použití v širokém rozsahu teplot.
Je toto zařízení vhodné pro kvalifikaci v automobilovém průmyslu?
Není specifikováno, že splňuje normy pro automobilový průmysl, a nelze předpokládat, že odpovídá normám pro automobilový průmysl.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 21 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET MOSFET IRF8734TRPBF N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET Pole MOSFET N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET Pole MOSFET IRF7831TRPBF N-kanálový 21 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 1 Duální
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 8 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF7351TRPBF N-kanálový 8 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 14 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení