řada: IPP MOSFET IPP60R065S7XKSA1 N-kanálový 8 A 600 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 260-1218
- Výrobní číslo:
- IPP60R065S7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 4%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
141,28 Kč
(bez DPH)
170,95 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 401 jednotka(y) budou odesílané od 09. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 141,28 Kč | - |
| 10 - 24 | 134,37 Kč | 4% |
| 25 - 49 | 128,93 Kč | 8% |
| 50 - 99 | 122,76 Kč | 13% |
| 100 + | 114,36 Kč | 19% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 260-1218
- Výrobní číslo:
- IPP60R065S7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | IPP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 65mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 167W | |
| Přímé napětí Vf | 820mV | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.36mm | |
| Výška | 4.57mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 9.45mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada IPP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 65mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 167W | ||
Přímé napětí Vf 820mV | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.36mm | ||
Výška 4.57mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 9.45mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon MOSFET umožňuje nejlepší cenový výkon pro aplikace s nízkofrekvenčním spínáním. CoolMOS S7 se může pochlubit nejnižšími hodnotami Rdson pro HV SJ MOSFET s výrazným zvýšením energetické účinnosti. CoolMOS S7 je optimalizován pro „statické spínání“ a aplikace s vysokým proudem. Je ideální pro konstrukce polovodičových relé a jističů, stejně jako pro usměrňování vedení v topologiích SMPS a měničů.
Vysoká schopnost pulzního proudu
Zvýšený výkon systému
Kompaktnější a jednodušší konstrukce
Nižší BOM a/nebo TCO při prodloužené životnosti
Odolnost vůči nárazům a vibracím
Související odkazy
- řada: IPP MOSFET N-kanálový 8 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET N-kanálový 20 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET IPP60R040S7XKSA1 N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET IPP60R160P7XKSA1 N-kanálový 20 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET N-kanálový 84 A Infineon, TO-220
- řada: IPP MOSFET IPP120N20NFDAKSA1 N-kanálový 84 A Infineon, TO-220
- řada: IPP MOSFET N-kanálový 109 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový