řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 260-1215
Výrobní číslo:: IPP60R040S7XKSA1
Výrobce:: Infineon

řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (1 tuba po 500 kusech)*

35 420,00 Kč

(bez DPH)

42 860,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 03. září 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
500 +	70,84 Kč	35 420,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 260-1215
Výrobní číslo:: IPP60R040S7XKSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	13A
	Maximální napětí na zdroji Vds	600V
	Typ balení	TO-220
	Řada	IPP
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	40mΩ
	Přímé napětí Vf	0.82V
	Maximální ztrátový výkon Pd	245W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	83nC
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Délka	10.36mm
	Výška	4.57mm
	Šířka	15.95mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A
	Maximální napětí na zdroji Vds 600V
	Typ balení TO-220
	Řada IPP
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 40mΩ
	Přímé napětí Vf 0.82V
	Maximální ztrátový výkon Pd 245W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 83nC
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Délka 10.36mm
	Výška 4.57mm
	Šířka 15.95mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPP60R040S7XKSA1

Tranzistor MOSFET řady IPP od společnosti Infineon, maximální napětí zdroje na drajnu 600 V, maximální trvalý proud na drajnu 13 A - IPP60R040S7XKSA1

Tento tranzistor MOSFET je špičková vysokonapěťová polovodičová součástka navržená pro účinné spínání napájení. Má robustní specifikace, včetně trvalého proudu 13 A a maximálního napětí 600 V, a je zapouzdřen v pouzdře TO-220, takže je vhodný pro různé aplikace. Zajišťuje spolehlivý výkon v náročných prostředích a pracuje v širokém teplotním rozsahu od -55 °C do +150 °C.

Charakteristiky a výhody

• Navrženo s technologií CoolMOS™ S7 pro minimalizaci ztrát při vedení

• Nabízí nízký odpor v zapnutém stavu 40 mΩ pro zvýšení účinnosti

• Schopnost zpracovávat vysoké pulzní proudy pro náročné požadavky

• Optimalizováno pro nízkofrekvenční spínací aplikace, což zlepšuje výkon systému

• Vestavěné funkce zajišťují vysokou spolehlivost ve statických spínacích scénářích

Aplikace

• Používá se pro polovodičová relé a inovativní konstrukce jističů

• Ideální pro usměrnění vedení v oblasti vysokého výkonu, jako je výpočetní technika a telekomunikace

• Použitelné v oblasti obnovitelných zdrojů energie, zejména solárních střídačů

Jaké jsou kritické vlastnosti ovlivňující tepelný výkon?

Zařízení se může pochlubit maximálním ztrátovým výkonem 245 W a tepelným odporem od spoje k okolí 62 °C/W, což usnadňuje efektivní řízení tepla. To zaručuje dlouhou životnost a spolehlivost v náročných provozních podmínkách.

Jak tato součást zvyšuje účinnost systému pro nízkofrekvenční aplikace?

Díky nízkému odporu v zapnutém stavu a technologii CoolMOS™ se výrazně snižují energetické ztráty během provozu, což umožňuje zlepšit celkovou účinnost a minimalizovat tvorbu tepla v nízkofrekvenčním prostředí.

Jaké jsou doporučené postupy pro použití ve vysokonapěťových aplikacích?

Je vhodné vyhodnotit vliv kosmického záření již ve fázi návrhu a zvážit vhodné konstrukční postupy, jako je použití feritových kuliček na hradle pro paralelní aplikace, aby se zmírnily případné problémy.