řada: IPP MOSFET IPP60R160P7XKSA1 Typ N-kanálový 20 A 600 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 258-3895
- Výrobní číslo:
- IPP60R160P7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
147,95 Kč
(bez DPH)
179,02 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 192 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 73,975 Kč | 147,95 Kč |
| 20 - 48 | 65,825 Kč | 131,65 Kč |
| 50 - 98 | 62,245 Kč | 124,49 Kč |
| 100 - 198 | 57,675 Kč | 115,35 Kč |
| 200 + | 53,23 Kč | 106,46 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3895
- Výrobní číslo:
- IPP60R160P7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | IPP | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 160mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 81W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 31nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada IPP | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 160mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 81W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 31nC | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Superkonekční tranzistor MOSFET Infineon 600 V CoolMOS P7 je nástupcem řady 600 V CoolMOS P6. Neustále vyváží potřebu vysoké účinnosti a snadné použití v procesu návrhu. Nejlepší ve své třídě RonxA a přirozeně nízké nabíjení brány platformy CoolMOS 7. generace zajišťují její vysokou účinnost.
Integrovaný hradlový rezistor RG
Robustní dioda v těle
Široké portfolio v pouzdrech pro průchozí otvor a povrchovou montáž
Snadné použití ve výrobním prostředí tím, že zabraňuje výskytu poruch ESD
Související odkazy
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 20 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 8 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET IPP60R040S7XKSA1 Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET IPP60R065S7XKSA1 Typ N-kanálový 8 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 84 A Infineon, TO-220
- řada: IPP MOSFET IPP120N20NFDAKSA1 Typ N-kanálový 84 A Infineon, TO-220
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 194 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový