řada: IPP MOSFET IPP60R040S7XKSA1 Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 260-1216
- Výrobní číslo:
- IPP60R040S7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
153,63 Kč
(bez DPH)
185,89 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 354 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 153,63 Kč |
| 10 - 24 | 146,22 Kč |
| 25 - 49 | 139,80 Kč |
| 50 - 99 | 133,63 Kč |
| 100 + | 124,49 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 260-1216
- Výrobní číslo:
- IPP60R040S7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | IPP | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 40mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 83nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 245W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.82V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 10.36mm | |
| Šířka | 15.95mm | |
| Výška | 4.57mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada IPP | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 40mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 83nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 245W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.82V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 10.36mm | ||
Šířka 15.95mm | ||
Výška 4.57mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor MOSFET řady IPP od společnosti Infineon, maximální napětí zdroje na drajnu 600 V, maximální trvalý proud na drajnu 13 A - IPP60R040S7XKSA1
Tento tranzistor MOSFET je špičková vysokonapěťová polovodičová součástka navržená pro účinné spínání napájení. Má robustní specifikace, včetně trvalého proudu 13 A a maximálního napětí 600 V, a je zapouzdřen v pouzdře TO-220, takže je vhodný pro různé aplikace. Zajišťuje spolehlivý výkon v náročných prostředích a pracuje v širokém teplotním rozsahu od -55 °C do +150 °C.
Charakteristiky a výhody
• Navrženo s technologií CoolMOS™ S7 pro minimalizaci ztrát při vedení
• Nabízí nízký odpor v zapnutém stavu 40 mΩ pro zvýšení účinnosti
• Schopnost zpracovávat vysoké pulzní proudy pro náročné požadavky
• Optimalizováno pro nízkofrekvenční spínací aplikace, což zlepšuje výkon systému
• Vestavěné funkce zajišťují vysokou spolehlivost ve statických spínacích scénářích
Aplikace
• Používá se pro polovodičová relé a inovativní konstrukce jističů
• Ideální pro usměrnění vedení v oblasti vysokého výkonu, jako je výpočetní technika a telekomunikace
• Použitelné v oblasti obnovitelných zdrojů energie, zejména solárních střídačů
Jaké jsou kritické vlastnosti ovlivňující tepelný výkon?
Zařízení se může pochlubit maximálním ztrátovým výkonem 245 W a tepelným odporem od spoje k okolí 62 °C/W, což usnadňuje efektivní řízení tepla. To zaručuje dlouhou životnost a spolehlivost v náročných provozních podmínkách.
Jak tato součást zvyšuje účinnost systému pro nízkofrekvenční aplikace?
Díky nízkému odporu v zapnutém stavu a technologii CoolMOS™ se výrazně snižují energetické ztráty během provozu, což umožňuje zlepšit celkovou účinnost a minimalizovat tvorbu tepla v nízkofrekvenčním prostředí.
Jaké jsou doporučené postupy pro použití ve vysokonapěťových aplikacích?
Je vhodné vyhodnotit vliv kosmického záření již ve fázi návrhu a zvážit vhodné konstrukční postupy, jako je použití feritových kuliček na hradle pro paralelní aplikace, aby se zmírnily případné problémy.
Související odkazy
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 13 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 8 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET Typ N-kanálový 20 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET IPP60R065S7XKSA1 Typ N-kanálový 8 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET IPP60R160P7XKSA1 Typ N-kanálový 20 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET 18 A Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET IPP65R125C7XKSA1 18 A Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: IPP MOSFET 17.5 A 700 V Infineon, TO-220