řada: HEXFET MOSFET IRF6727MTRPBF Typ N-kanálový 180 A 30 V Infineon, WDSON
- Skladové číslo RS:
- 258-3968
- Výrobní číslo:
- IRF6727MTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
115,60 Kč
(bez DPH)
139,88 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 368 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 57,80 Kč | 115,60 Kč |
| 20 - 48 | 47,92 Kč | 95,84 Kč |
| 50 - 98 | 45,08 Kč | 90,16 Kč |
| 100 - 198 | 41,62 Kč | 83,24 Kč |
| 200 + | 38,78 Kč | 77,56 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3968
- Výrobní číslo:
- IRF6727MTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 180A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | WDSON | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.4mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 89W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 49nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.77V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 180A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení WDSON | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.4mΩ | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 89W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 49nC | ||
Přímé napětí Vf 0.77V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových MOSFETů Infineon StrongIRFET je optimalizována pro nízký RDS(on) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Vysoký jmenovitý proud
Možnost oboustranného chlazení
Nízká výška pouzdra 0,7 mm
Kompaktní tvarový faktor
Vysoká účinnost
Šetrné k životnímu prostředí
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 30 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 68 A 80 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET IRF6646TRPBF Typ N-kanálový 68 A 80 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET 220 A 25 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET IRF6717MTRPBF 220 A 25 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 75 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRLS4030TRLPBF Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon, TO-263