řada: HEXFET MOSFET IRF6727MTRPBF N-kanálový 180 A 30 V Infineon, WDSON

Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Typy balení:
Skladové číslo RS:
258-3968
Výrobní číslo:
IRF6727MTRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

180A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

WDSON

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

2.4mΩ

Maximální ztrátový výkon Pd

89W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

49nC

Minimální provozní teplota

-40°C

Přímé napětí Vf

770mV

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Řada výkonových MOSFETů Infineon StrongIRFET je optimalizována pro nízký RDS(on) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.

Vysoký jmenovitý proud

Možnost oboustranného chlazení

Nízká výška pouzdra 0,7 mm

Kompaktní tvarový faktor

Vysoká účinnost

Šetrné k životnímu prostředí

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.