řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 68 A 80 V Infineon, WDSON

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 4800 kusech)*

111 211,20 Kč

(bez DPH)

134 563,20 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 09. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
4800 +23,169 Kč111 211,20 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
258-3962
Výrobní číslo:
IRF6646TRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

68A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

WDSON

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

9.5mΩ

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

1.3V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální ztrátový výkon Pd

89W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

36nC

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Silikonová technologie Infineon HEXFET Power MOSFET s pokročilým pouzdrem DirectFETTM pro dosažení nejnižšího odporu v zapnutém stavu v pouzdru, které má otisk SO-8 a profil pouze 0,7 mm. Pouzdro DirectFET je kompatibilní se stávajícími geometrií uspořádání používanými v napájecích aplikacích, montážních zařízeních PCB a technikách pájení v párové fázi, infračerveném nebo konvekčním pájení. Poznámka k aplikaci AN-1035 se vztahuje na výrobní metody a procesy.

MOSFETy specifické pro danou aplikaci

Ideální pro vysoce výkonný izolovaný měnič

Zástrčka primárního spínače

Optimalizováno pro synchronní usměrňování

Nízké vodivé ztráty

Vysoká odolnost vůči Cdv/dt

Nízký profil (<0,7 mm)

Kompatibilní s oboustranným chlazením

Kompatibilní se stávající technikou povrchové montáže

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.