řada: HEXFET MOSFET IRF6717MTRPBF 220 A 25 V Infineon, WDSON
- Skladové číslo RS:
- 258-3965
- Výrobní číslo:
- IRF6717MTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
139,80 Kč
(bez DPH)
169,16 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 740 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 69,90 Kč | 139,80 Kč |
| 20 - 48 | 58,785 Kč | 117,57 Kč |
| 50 - 98 | 55,33 Kč | 110,66 Kč |
| 100 - 198 | 51,13 Kč | 102,26 Kč |
| 200 + | 47,55 Kč | 95,10 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3965
- Výrobní číslo:
- IRF6717MTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 220A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 25V | |
| Typ balení | WDSON | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.1mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 96W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 220A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 25V | ||
Typ balení WDSON | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.1mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 96W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových MOSFETů Infineon StrongIRFET je optimalizována pro nízký RDS(on) a vysoký proud. Zařízení jsou ideální pro aplikace s nízkou frekvencí vyžadující výkon a odolnost. Rozsáhlé portfolio se zaměřuje na širokou škálu aplikací včetně stejnosměrných motorů, systémů řízení baterií, měničů a měničů DC/DC.
Vysoký jmenovitý proud
Možnost oboustranného chlazení
Kompaktní tvarový faktor
Vysoká účinnost
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET 220 A 25 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 68 A 80 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 30 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET IRF6727MTRPBF Typ N-kanálový 180 A 30 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET IRF6646TRPBF Typ N-kanálový 68 A 80 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 25 A 200 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4620PBF Typ N-kanálový 25 A 200 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET 150 A 30 V Infineon, TO-220
