řada: HEXFET MOSFET IRF6646TRPBF Typ N-kanálový 68 A 80 V Infineon, WDSON
- Skladové číslo RS:
- 258-3963
- Výrobní číslo:
- IRF6646TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
107,20 Kč
(bez DPH)
129,72 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 4 688 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 53,60 Kč | 107,20 Kč |
| 20 - 48 | 48,29 Kč | 96,58 Kč |
| 50 - 98 | 45,08 Kč | 90,16 Kč |
| 100 - 198 | 41,99 Kč | 83,98 Kč |
| 200 + | 39,275 Kč | 78,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3963
- Výrobní číslo:
- IRF6646TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 68A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | WDSON | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9.5mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 89W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 36nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 68A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení WDSON | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9.5mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 89W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 36nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Silikonová technologie Infineon HEXFET Power MOSFET s pokročilým pouzdrem DirectFETTM pro dosažení nejnižšího odporu v zapnutém stavu v pouzdru, které má otisk SO-8 a profil pouze 0,7 mm. Pouzdro DirectFET je kompatibilní se stávajícími geometrií uspořádání používanými v napájecích aplikacích, montážních zařízeních PCB a technikách pájení v párové fázi, infračerveném nebo konvekčním pájení. Poznámka k aplikaci AN-1035 se vztahuje na výrobní metody a procesy.
MOSFETy specifické pro danou aplikaci
Ideální pro vysoce výkonný izolovaný měnič
Zástrčka primárního spínače
Optimalizováno pro synchronní usměrňování
Nízké vodivé ztráty
Vysoká odolnost vůči Cdv/dt
Nízký profil (<0,7 mm)
Kompatibilní s oboustranným chlazením
Kompatibilní se stávající technikou povrchové montáže
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 68 A 80 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 30 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET IRF6727MTRPBF Typ N-kanálový 180 A 30 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET 220 A 25 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET IRF6717MTRPBF 220 A 25 V Infineon, WDSON
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 50 A 80 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET BSB104N08NP3GXUSA1 Typ N-kanálový 50 A 80 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 80 A 75 V Infineon, TO-263