řada: HEXFET MOSFET IRF6646TRPBF N-kanálový 68 A 80 V Infineon, WDSON
- Skladové číslo RS:
- 258-3963
- Výrobní číslo:
- IRF6646TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2 jednotky/-ek, v balení po 2 ks)*
134,62 Kč
(bez DPH)
162,90 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 688 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 67,31 Kč | 134,62 Kč |
| 20 - 48 | 60,76 Kč | 121,52 Kč |
| 50 - 98 | 56,44 Kč | 112,88 Kč |
| 100 - 198 | 52,61 Kč | 105,22 Kč |
| 200 + | 49,155 Kč | 98,31 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3963
- Výrobní číslo:
- IRF6646TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 68A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | WDSON | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 9.5mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 89W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 68A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení WDSON | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 9.5mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 89W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 36nC | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Silikonová technologie Infineon HEXFET Power MOSFET s pokročilým pouzdrem DirectFETTM pro dosažení nejnižšího odporu v zapnutém stavu v pouzdru, které má otisk SO-8 a profil pouze 0,7 mm. Pouzdro DirectFET je kompatibilní se stávajícími geometrií uspořádání používanými v napájecích aplikacích, montážních zařízeních PCB a technikách pájení v párové fázi, infračerveném nebo konvekčním pájení. Poznámka k aplikaci AN-1035 se vztahuje na výrobní metody a procesy.
MOSFETy specifické pro danou aplikaci
Ideální pro vysoce výkonný izolovaný měnič
Zástrčka primárního spínače
Optimalizováno pro synchronní usměrňování
Nízké vodivé ztráty
Vysoká odolnost vůči Cdv/dt
Nízký profil (<0,7 mm)
Kompatibilní s oboustranným chlazením
Kompatibilní se stávající technikou povrchové montáže
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 68 A 80 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 180 A 30 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET IRF6727MTRPBF N-kanálový 180 A 30 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET 220 A 25 V Infineon, WDSON
- řada: HEXFET MOSFET IRF6717MTRPBF 220 A 25 V Infineon, WDSON
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 50 A 80 V Infineon počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 80 A 75 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 80 A 75 V Infineon, TO-252