řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 50 A 80 V Infineon, MG-WDSON, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
214-8966
Výrobní číslo:
BSB104N08NP3GXUSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

50A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Řada

OptiMOS

Typ balení

MG-WDSON

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

7

Maximální odpor zdroje Rds

10.4mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

23nC

Minimální provozní teplota

-40°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální ztrátový výkon Pd

42W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

6.35mm

Normy/schválení

No

Délka

5.05mm

Výška

700μm

Automobilový standard

Ne

Řada Infineon OptiMOS je lídrem na trhu s vysoce účinnými řešeními pro výrobu energie (např. solární mikroměnič), napájení (např. server a telekomunikace) a spotřebu energie (např. elektrické vozidlo). Jedná se o řadu energeticky účinných tranzistorů MOSFET, ve vysoce výkonných baleních, která se zabývají těmi nejnáročnějšími aplikacemi, které poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorech.

Nízká parazitní indukčnost

Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC

Oboustranné chlazení

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.