AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD60N10S412ATMA1 N-kanálový 60 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

96,58 Kč

(bez DPH)

116,86 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 2 302 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
2 - 1848,29 Kč96,58 Kč
20 - 4842,115 Kč84,23 Kč
50 - 9839,52 Kč79,04 Kč
100 - 19836,925 Kč73,85 Kč
200 +34,085 Kč68,17 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
258-3849
Výrobní číslo:
IPD60N10S412ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

60A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Řada

IPD

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

12.2mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

94W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

26nC

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS-T2 má režim vylepšení normální úrovně P-kanálu. Má provozní teplotu 175 °C.

Certifikace AEC

MSL1 až 260 °C špičkový reflow

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.