AEC-Q101, řada: IPD MOSFET IPD60N10S412ATMA1 N-kanálový 60 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 20 kusů a ušetřete 12%

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

96,58 Kč

(bez DPH)

116,86 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 2 290 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
Úspora
2 - 1848,29 Kč96,58 Kč-
20 - 4842,115 Kč84,23 Kč12%
50 - 9839,52 Kč79,04 Kč18%
100 - 19836,925 Kč73,85 Kč23%
200 +34,085 Kč68,17 Kč29%

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
258-3849
Výrobní číslo:
IPD60N10S412ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

60A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

TO-252

Řada

IPD

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

12.2mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

1V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

26nC

Maximální ztrátový výkon Pd

94W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

AEC-Q101

Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS-T2 má režim vylepšení normální úrovně P-kanálu. Má provozní teplotu 175 °C.

Certifikace AEC

MSL1 až 260 °C špičkový reflow

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.